Les transistors au silicium et les transistors au germanium ont la fonction d'amplification de courant. La différence est que la tension de la zone morte des transistors au silicium est supérieure à celle des transistors au germanium ; la tension d'activation des transistors au silicium est d'environ 0.7V, et la tension d'activation des transistors au germanium est d'environ 0.3V ;
Le courant inverse des transistors au silicium est beaucoup plus faible que celui des transistors au germanium ; la température maximale de fonctionnement autorisée par les transistors au silicium est supérieure à celle des transistors au germanium ; les transistors au silicium sont plus stables que les transistors au germanium.
